-
1 RVM
- эталонные значения измеряемой величины
- метод случайных вихрей
- измерение восстанавливающегося напряжения
- вольтметр реактивного напряжения
вольтметр реактивного напряжения
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
измерение восстанавливающегося напряжения
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
метод случайных вихрей
(для исследований течений с вихревыми структурами)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
4.11 эталонные значения измеряемой величины (reference values of the measurand; RVM): Значения расхода, температуры и разности температур, установленные с целью обеспечить сравнение результатов измерений.
Источник: ГОСТ Р ЕН 1434-1-2011: Теплосчетчики. Часть 1. Общие требования
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > RVM
-
2 fall time
- время среза (заднего фронта) импульса
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
- время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время спада
время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fall time
-
3 turn-on delay time
- время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
- время задержки включения полевого транзистора
- время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on delay time
-
4 rise time
- длительность переднего фронта импульса
- время подъёма мощности
- время подъёма
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
- время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время нарастания (вторичного напряжения)
- время нарастания
- время восстановления (в электротехнике)
время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time
-
5 delay time
- продолжительность выдержки
- время задержки тиристора
- время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время задержки модуля (блока) СВЧ
- время задержки импульса интегральной микросхемы
- время задержки для биполярного транзистора
- время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
- время задержки
время задержки
—
[Интент]Параллельные тексты EN-RU
The relay remains energized for the duration of the timer.
[Schneider Electric]Реле остается включенным до истечения времени задержки.
[Перевод Интент]
Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
время задержки для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время задержки модуля (блока) СВЧ
время задержки
tз
Интервал времени с момента подачи сигнала на вход модуля (блока) СВЧ до момента появления сигнала на его выходе, определяемый на одинаковых относительных уровнях сигналов.
[ ГОСТ 23221-78]Тематики
Обобщающие термины
- модули СВЧ, блоки СВЧ
- параметры
Синонимы
EN
время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время задержки
tзд
td
Интервал времени между 10% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки тиристора
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,зд, tзд
tgd, td
Примечание
Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
3.11 продолжительность выдержки (delay time): Время определения аналитическим контрольно-измерительным прибором появления химического вещества на внутренней стороне образца для испытания.
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tу,зд, tзд
Интервал времени между заданным моментом в начале импульса отпирающего тока управления тиристора или импульса отпирающего напряжения тиристора и моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению при включении тиристора отпирающим током управления или переключением импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время задержки может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
46. Время задержки оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время задержки
Delay time
tзд
Интервал времени между 10 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
36. Время задержки для биполярного транзистора
D. Verzögerungszeit
E. Delay time
F. Retard à la croissance
tзд
Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
209. Время задержки включения высокого напряжения прибора СВЧ
Время задержки
Delay time
tз
Интервал времени между моментом включения номинального напряжения накала до момента включения высокого напряжения в приборе СВЧ
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > delay time
-
6 turn-on time
- время включения тиристора
- время включения стабилитрона
- время включения полевого транзистора
- время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
tвкл
ton
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tувкл, tвкл
tgt, tt
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- temps d’amorçage
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
110. Время включения тиристора
E. Turn-on time
F. Temps d’amorcage
tувкл, tвкл
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Примечания:
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время включения
Turn-on time
tвкл
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on time
-
7 turn-off time
- время отключения
- время выключения тиристора
- время выключения полевого транзистора
- время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
tвыкл
toff
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время выключения тиристора
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора.
Обозначение
tвыкл
tq
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время отключения
—
[Интент]
время отключения
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
113. Время выключения тиристора
E. Turn-off time
F. Temps de désamorcage
tвыкл
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время выключения
Turn-off time
tвыкл
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off time
-
8 supply voltage
- питающее напряжение
- напряжение электропитания
- напряжение сети
- напряжение питания оптоэлектронного переключателя
- напряжение питания (полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
- напряжение питания
- напряжение (источника) питания
напряжение (источника) питания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
напряжение питания
Uv
Напряжение в точке, в которой измерительная аппаратура получает или может получать электрическую энергию в качестве питания.
[ ГОСТ Р 61557-1-2006]Тематики
- измерение электр. величин в целом
EN
напряжение питания (полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Uп (Uc.c)
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу полупроводникового знакосинтезирующего индикатора в заданном режиме.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
напряжение питания оптоэлектронного переключателя
напряжение питания
Uп
UCC
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
3.5 напряжение сети (supply voltage): Напряжение сети (питания), приложенное ко всей цепи ламп(ы) и устройству управления лампами.
Источник: ГОСТ Р МЭК 61347-1-2011: Устройства управления лампами. Часть 1. Общие требования и требования безопасности оригинал документа
3.105 напряжение электропитания (supply voltage) Us: Напряжение в точке, в которой измерительное оборудование получает или может получать электрическую энергию в качестве питания.
Источник: ГОСТ Р 51522.2.4-2011: Совместимость технических средств электромагнитная. Электрическое оборудование для измерения, управления и лабораторного применения. Часть 2-4. Частные требования к устройствам мониторинга изоляции и определения мест нарушения изоляции. Испытательные конфигурации, рабочие условия и критерии качества функционирования оригинал документа
74. Напряжение питания оптоэлектронного переключателя
Напряжение питания
Supply voltage
Uп
Значение напряжения источника питания, обеспечивающего работу оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
3.1.8 напряжение питания (supply voltage) Uv: Напряжение в точке, в которой измерительная аппаратура получает или может получать электрическую энергию в качестве питания.
Источник: ГОСТ Р МЭК 61557-1-2005: Сети электрические распределительные низковольтные напряжением до 1000 В переменного тока и 1500 В постоянного тока. Электробезопасность. Аппаратура для испытания, измерения или контроля средств защиты. Часть 1. Общие требования оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > supply voltage
-
9 leakage current
- ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- ток утечки конденсатора
- ток утечки
- обратный ток (выпрямителя)
обратный ток (выпрямителя)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
ток утечки
Электрический ток, протекающий по нежелательным проводящим путям в нормальных условиях эксплуатации.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-195-2005]
ток утечки
Любые токи, включая емкостные токи, которые могут протекать между открытыми проводящими поверхностями прибора и землей или другими открытыми проводящими поверхностями прибора.
[ГОСТ IЕС 60730-1-2011]
ток утечки
Ток, который протекает в землю или на сторонние проводящие части в электрически неповрежденной цепи.
[ ГОСТ Р 50807-95]
ток утечки
Электрический ток, протекающий в Землю, открытую и стороннюю проводящие части и защитный проводник при нормальных условиях.
Активное сопротивление изоляции токоведущих частей электрооборудования не может быть бесконечно большим, а их ёмкость относительно Земли или соединённых с Землёй проводящих частей не может быть равна нулю. Поэтому с любой токоведущей части, находящейся под напряжением, в Землю, а также в проводящие части, электрически соединённые защитными проводниками с заземляющим устройством электроустановки здания и с заземлённой токоведущей частью источника питания, постоянно протекает небольшой электрический ток, который в нормативной и правовой документации называют током утечки. В нормальном режиме электроустановки здания из токоведущих частей функционирующего электрооборудования всегда имеется утечка электрического тока в Землю, открытые и сторонние проводящие части и защитные проводники.
Путь, по которому протекает ток утечки, зависит от типа заземления системы. В электроустановках зданий, соответствующих типам заземления системы TT и IT, ток утечки электрооборудования класса I через неповреждённую основную изоляцию протекает из токоведущих частей в открытые проводящие части. Из открытых проводящих частей по защитным проводникам, главной заземляющей шине, заземляющим проводникам и заземлителю ток утечки протекает в локальную землю. Если электроустановка здания соответствует типам заземления системы TN, преобладающая часть тока утечки протекает не в локальную землю, а по защитным проводникам и по PEN-проводникам электроустановки здания и низковольтной распределительной электрической сети протекает до заземлённой токоведущей части источника питания.
[ http://www.volt-m.ru/glossary/letter/%D2/view/84/]EN
leakage current
electric current in an unwanted conductive path other than a short circuit
[IEV number 151-15-49]
leakage current
electric current in an unwanted conductive path under normal operating conditions
Source: 151-03-35 MOD, 826-03-08 MOD
[IEV number 195-05-15]FR
courant de fuite, m
courant électrique qui s'écoule à travers un chemin électrique non désiré autre qu'un court-circuit
[IEV number 151-15-49]
courant de fuite, m
courant électrique qui, dans des conditions normales de fonctionnement, s'écoule à travers un chemin électrique non désiré
Source: 151-03-35 MOD, 826-03-08 MOD
[IEV number 195-05-15]Тематики
- электротехника, основные понятия
- электроустановки
EN
DE
FR
ток утечки конденсатора
Ток проводимости, проходящий через конденсатор при постоянном напряжении.
[ ГОСТ 21415-75]Тематики
EN
DE
FR
ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
ток утечки
Iут.вых
Is
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
D. Reststrom
E. Leakage current
F. Courant de fuite
Ток проводимости, проходящий через конденсатор при постоянном напряжении
Источник: ГОСТ 21415-75: Конденсаторы. Термины и определения оригинал документа
45. Ток утечки на выходе оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Ток утечки
Leakage current
Iут.вых
Значение тока, протекающего в выходной цепи оптопары (оптоэлектронного коммутатора) в заданном режиме в закрытом состоянии
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > leakage current
-
10 output capacitance
- выходная емкость полевого транзистора
- выходная емкость оптоэлектронного переключателя
- выходная емкость биполярного транзистора
- выходная ёмкость
выходная емкость биполярного транзистора
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала.
Обозначение
C22
Примечание
В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
выходная емкость оптоэлектронного переключателя
выходная емкость
Свых
CO
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
выходная емкость полевого транзистора
выходная емкость
Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
Обозначение
C22и
C22ss
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
выходная ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
71. Выходная емкость оптоэлектронного переключателя
Выходная емкость
Output capacitance
Свых
Значение емкости между выходными выводами оптоэлектронного переключателя в заданном режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
28. Выходная емкость биполярного транзистора
D. Ausgangskapazität
E. Output capacitance
F. Capacité de sortie
С*22
Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > output capacitance
-
11 peak forward current
- импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
- импульсный прямой ток диода
- импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Iпр.и (IFм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak forward current
-
12 optical axis
оптическая ось
Общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
[ ГОСТ 7427-76]Тематики
- оптика, оптические приборы и измерения
EN
DE
FR
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
3.5.2 оптическая ось (optical axis): Средняя линия оптического пути.
Примечание - В соответствии с ГОСТ 7427 оптическая ось - это общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
Источник: ГОСТ Р 52350.29.4-2011: Взрывоопасные среды. Часть 29-4. Газоанализаторы. Общие технические требования и методы испытаний газоанализаторов горючих газов с открытым оптическим каналом оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > optical axis
-
13 storage time
- время хранения данных
- время хранения в памяти
- время хранения
- время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- Время сохранения оптопары (оптоэлектрон ного коммутатора)
время сохранения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время сохранения
tсохр
ts
Интервал времени между 90% значения входного сигнала и 90% выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время хранения
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время хранения в памяти
время запоминания данных
—
[Л.Г.Суменко. Англо-русский словарь по информационным технологиям. М.: ГП ЦНИИС, 2003.]Тематики
Синонимы
EN
время хранения данных
Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации.
[ ГОСТ 25492-82]Тематики
- устройства цифр. выч. машин запоминающие
EN
Storage time
Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации
Источник: ГОСТ 25492-82: Устройства цифровых вычислительных машин запоминающие. Термины и определения оригинал документа
50. Время сохранения оптопары (оптоэлектрон ного коммутатора)
Время сохранения
Storage time
tсохр
Интервал времени между 90 % значения входного сигнала и 90 % выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренными по спаду импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > storage time
-
14 dynamic resistance
- резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
- динамическое сопротивление прибора М-типа
- динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
RД
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
233. Динамическое сопротивление прибора М-типа
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rд
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamic resistance
-
15 turn-off current
запираемый ток тиристора
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду.
Обозначение
Iз
ITQ
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
ток выключения тиристорной оптопары
ток выключения
Iвыкл
Ioff
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
E. Turn-off current
F. Courant de désamorcage
Iз
Наибольшее значение основного тока тиристора, при котором обеспечивается запирание тиристора по управляющему электроду
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
57. Ток выключения тиристорной оптопары
Ток выключения
Turn-off current
Iвыкл
Входной ток тиристорной оптопары, обеспечивающий выключение фотоприемного элемента
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off current
-
16 breakdown voltage
- пробивное напряжение диода
- пробивное "напряжение"
- напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
Uпроб
U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
пробивное "напряжение"
напряжение пробоя
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
Синонимы
EN
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя
Напряжение пробоя
Breakdown voltage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown voltage
-
17 total capacitance
общая (электрическая) ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
общая емкость тиристора
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
Обозначение
Cобщ
Ctot
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Total capacitance
F. Capacité totale
Cобщ
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total capacitance
-
18 reverse continuous voltage
постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
Uобр
UR
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
3. Постоянное обратное напряжение диода
D. Sperrgleichspannung der Diode
E. Reverse continuous voltage
F. Tension inverse continue
Uобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное обратное напряжение
Reverse continuous voltage
Uобр
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse continuous voltage
-
19 resistance under illumination
- световое сопротивление ФЭПП
- световое сопротивление
- световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое выходное сопротивление резисторной оптопары
световое сопротивление
Rвых.св
RЕ, RH
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
световое сопротивление
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
световое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
RE
RH
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
62. Световое выходное сопротивление резисторной оптопары
Световое сопротивление
Resistance under illumination
Rвых.св
Значение сопротивления фотоприемного элемента при воздействии на него потока излучения заданного значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
57. Световое сопротивление ФЭПП
D. Hellwiderstand
E. Resistance under illumination
F. Résistance sous éclairement
RE
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > resistance under illumination
-
20 dark resistance
- темновое сопротивление ФЭПП
- темновое сопротивление (фотоэлемента)
- темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
темновое сопротивление
Rвых.т
Ro
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
темновое сопротивление (фотоэлемента)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
темновое сопротивление ФЭПП
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности.
Обозначение
Rт
Rd
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ ГОСТ 21934-83]Тематики
- приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.
EN
DE
FR
- résistance d’obscurité
61. Темновое выходное сопротивление резисторной оптопары
Темновое сопротивление
Dark resistance
Rвых.т
Значение сопротивления фотоприемного элемента при отсутствии воздействия на него потока излучения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
55. Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
Rt
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dark resistance
См. также в других словарях:
ГОСТ 27299-87 — 17 с. (4) Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров Взамен: ГОСТ 22274 80; ГОСТ 23562 79; ГОСТ 24403 80 разделы 01.040.31, 31.080 … Указатель национальных стандартов 2013
ГОСТ 27299-87 — Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Взамен ГОСТ 22274 80, ГОСТ 23562 79, ГОСТ 24403 80 [br] НД чинний: від 1988 07 01 Зміни: Технічний комітет: ТК 66 Мова: Ru Метод прийняття:… … Покажчик національних стандартів
ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn on time tвкл… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ Р ИСО 9934-2-2011 — Контроль неразрушающий. Магнитопорошковый метод. Часть 2. Дефектоскопические материалы раздел 19.100 … Указатель национальных стандартов 2013
27299 — ГОСТ 27299{ 87} Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ОКС: 01.040.31, 31.080 КГС: Э00 Термины и обозначения Взамен: ГОСТ 22274 80, ГОСТ 23562 79, ГОСТ 24403 80 Действие: С 01.07.88… … Справочник ГОСТов
Комплексный компонент измерительной системы — (по ГОСТ Р 8.596) конструктивно объединенная или территориально локализованная совокупность компонентов, составляющая часть измерительной системы, завершающая, как правило, измерительные преобразования, вычислительные и логические операции,… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Убой птицы наружным способом — Наружный способ убоя птицы: убой птицы, заключающийся в перерезании кожи шеи, яремной вены и сонной артерии... Источник: ПТИЦЕПЕРЕРАБАТЫВАЮЩАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ . ПЕРЕРАБОТКА ПТИЦЫ. ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ. ГОСТ Р 52469 2005 (утв. Приказом… … Официальная терминология
воздух в помещении — (зоне) после подготовки (см. рис. позиция 3). Сокращение: IDA. Цветовое обозначение: серый. [ГОСТ Р ЕН 13779 2007] Тематики вентиляция в целом Синонимы IDA EN indoor air … Справочник технического переводчика
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время — 3.3.4 время tE (time tE): время нагрева начальным пусковым переменным током IА обмотки ротора или статора от температуры, достигаемой в номинальном режиме работы, до допустимой температуры при максимальной температуре окружающей среды. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ток — ((continuous) current carrying capacity ampacity (US)): Максимальное значение электрического тока, который может протекать длительно по проводнику, устройству или аппарату при определенных условиях без превышения определенного значения их… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации